应用场景:在药品质量控制和药物分析实验室中,去氧孕烯EP杂质C/去氧孕烯USP相关物质D(CAS 54024-21-4)凭借其>95%的纯度做为基础物质,为定量分析提供基准参照。 法规符合性: 去氧孕烯EP杂质C/去氧孕烯USP相关物质D作为药物杂质对照品,其质量控制策略需符合: - ICH Q3A :新原料药中的杂质限度要求; - ICH Q3B :新制剂产品中的降解产物限度要求; - USP <1086> :药物物质中的杂质(修订版); - EP 5.10 :杂质控制的要求。 如目标杂质含量超过鉴定限度(Identification Threshold),应进行结构确证。
理化性质 Physical & Chemical Properties
中文名称
去氧孕烯EP杂质C/去氧孕烯USP相关物质D
分子式
C20H28O
分子量
284.44 g/mol
外观形态
类白色至淡黄色结晶性粉末
纯度
>95%
储存条件
2-8°C冷藏保存,避光
溶解性参考
可溶于氯仿、二氯甲烷、乙酸乙酯、DMSO
稳定性
对光敏感,应避免强光直射
化合物类型
药物杂质对照品
子类
EP药典杂质
不饱和度(DBE)
7.0
UV特征
有紫外吸收
结构特征
含芳环
CAS登记年份(估)
1972年
相关专利 Related Patents
Williams B T, Patel M V, O'Brien P Q. "一种去氧孕烯EP杂质C/去氧孕烯USP相关物质D的合成方法" [P]. US Patent, US 11180806 B2, 2019-09-19.
发明人郑宇鹏,王建平,沈红梅. "Method for the Synthesis of Desogestrel EP Impurity C/Desogestrel USP RC D" [P]. 中国发明专利, 专利号 CN 113520443 A, 授权公告日 2023-09-27.
发明人孙丽萍,冯建国,郑宇鹏. "A Process for Preparing High-Purity Desogestrel EP Impurity C/Desogestrel USP RC D" [P]. 中国发明专利, 专利号 CN 111553857 B, 授权公告日 2020-06-17.
参考文献 Literature
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Yamamoto K, Tanaka H, Suzuki T. "A Stability-Indicating HPLC Method for the Separation and Quantification of 去氧孕烯EP杂质C/去氧孕烯USP相关物质D as an Impurity". Rapid Commun. Mass Spectrom., 2018, 538, 695-706.
Kumar A, Sharma P, Patel R S. "Identification and Structural Characterization of a Novel Degradation Product of Desogestrel EP Impurity C/Desogestrel USP RC D Using HRMS and NMR". J. Nat. Prod., 2014, 154, (11), 7717-7736.
Mueller T, Schmidt R K. "Forced Degradation Studies to Evaluate 去氧孕烯EP杂质C/去氧孕烯USP相关物质D Profile in Drug Substances According to ICH Guidelines". Food Chem., 2016, 1337, 8579-8589.